图片展示

金刚石NV中心在高压下的自旋极化反转

作者:上海砧源材料科技有限责任公司 浏览: 发表时间:2026-04-07 00:00:00

    本研究由中国科学技术大学物理学院、合肥微尺度物质科学国家研究中心、合肥国家实验室联合完成。研究团队利用金刚石对顶砧(DAC)技术,在金刚石氮-空位(NV)中心中引入巨大的剪切应变梯度,实验观测到NV中心基态自旋极化的完全反转,为固态量子发射器的可编程调控提供了全新范式。

 

1研究概要

       固态量子发射器的性能核心在于其自旋依赖的光动力学过程,特别是非辐射系间窜越(ISC)速率。传统方法主要依赖光子纳米结构(Purcell效应)来调控辐射速率,难以触及非辐射过程。

       本研究以金刚石NV中心为平台,利用(111)取向的金刚石对顶砧(DAC)产生高达130 GPa以上的静水/非静水压力环境。通过在垫片和传压介质(PTM)界面人为构造巨大的剪切应变梯度,研究团队发现NV中心的激发态能级发生混合,导致其ISC过程被彻底改写。实验结合光探测磁共振(ODMR)、时间分辨荧光测量及外加磁场调控,建立了一个包含对称性守恒与对称性破缺应变贡献的理论模型,成功解释了应变如何诱导自旋极化反转。

 

2研究亮点

1.NV中心自旋极化的完全反转:在高压剪切应变区,NV中心的光学初始化过程从偏好占据明亮的|0〉态逆转为偏好占据暗的|±1〉态。ODMR信号从传统的“负峰”转变为“正峰”,荧光衰减拟合显示基态布居从P₀≈0.689反转至P₀≈0.313,这一宏观量子态的翻转在传统腔 QED 调控中从未实现。

 

2.理论模型与实验验证:结合光磁光谱测量与理论模型,定量分析了对称保持与对称破坏应变对NV中心自旋-光学动力学的影响,为理解应变-自旋耦合机制提供了新框架。
 

3.纳米尺度的自旋极化反转:利用金刚石对顶砧中封垫-传压介质界面附近的巨大应力梯度,研究团队实现了空间位置依赖的自旋极化调控。ODMR对比度从负到正的转变发生在约120 nm的空间尺度内,展示了应力梯度对量子发射器性质的亚衍射极限调控能力。这一结果为超高密度自旋基信息编码提供了新的可能。

 

3图文解析

 

                                   



                               

                                        

 

       这项工作的震撼之处在于它揭示了“力”与“光”在量子层面的深层联系。长久以来,我们认为改变量子比特的状态需要电磁波(微波、激光)或磁场,而中科大团队证明了——机械应变同样可以作为操控量子态的有力手段。这对于量子技术的微型化和集成化具有重要启示。相比于复杂的片上微波线路或庞大的光学谐振腔,利用材料内部的本征应变或微纳加工引入的应力,或许能以更低的能耗和更小的体积实现量子态的调控。

 

 

转载自:超导探索


上海市高新技术企业

   Shanghai New Hi-tech Enterprises

版权所有: 上海砧源材料科技有限责任公司

Shanghai Anvilsource Material Technology Co.,Ltd.

全球服务热线/Service Hotline:+86 13524661033

        

联系我们/Contact us:

地址:上海市浦东新区自由贸易试验区泰谷路78号616室 

Room616,No.78, Tai Gu Road, Pudong, Shanghai.

电话:021-50470990
邮箱:dukehui@anvilsource.com

添加微信好友,详细了解产品
使用企业微信
“扫一扫”加入群聊
复制成功!
添加微信好友,详细了解产品
我知道了
沪ICP备2021021328号